Телефоны
+7 (812) 602-78-86
in@hoteyec.ru
in@hoteyec.ru
- Atmel
- BenQ
- Bourns
- CHINFA
- FIBOX
- GP
- HITANO ENTERPRISE CORP
- Infineon
- International Rectifier
- KingBright
- Linear Technology
- Maxim Integrated
- Maxim Semiconductor
- MICROCHIP
- Mitsubishi
- Mornsun Power
- Motorola
- NEC
- Nenshi
- Neutrik
- NIEC
- NXP Semiconductors
- ON Semiconductor
- P-DUKE
- PROEL
- Rohm Semiconductor
- Shure
- Texas Instruments
FF800R17KP4_B2
Технические характеристики
| Module Configuration: | Dual |
| Полярность транзистора: | N Channel |
| DC Collector Current: | 800 А |
| Collector Emitter Voltage Vces: | 1.9 В |
| Рабочий диапазон температрур: | -40°C ... +125°C |
| Тип | Название | Производитель | Datasheet | Цена | Наличие | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FF800R17KP4_B2 | Infineon | По запросу | Под заказ |
Описание
Модуль транзисторный IGBT, сдвоенный MOD, 1700 В, 800 А